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J-GLOBAL ID：201303023250596691

交流損失を低減したマルチフィラメント超伝導体とその形成方法

Inventor：
セルバマニカム,ベンカト

About セルバマニカム,ベンカト

, 
サンバンダム,センシル

About サンバンダム,センシル


Applicant, Patent owner：
ユニバーシティー オブ ヒューストン システム

About ユニバーシティー オブ ヒューストン システム


Agent (1)： 特許業務法人岡田国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013516726
Publication number (International publication number)：2013535083
Application date： Jun. 22, 2011
Publication date： Sep. 09, 2013
Summary：
高温超伝導構造体は、少なくとも1つのバッファ層が蒸着された基板と、バッファ層上の超伝導層とを備えており、この超伝導層は、基板の長さ方向に延びる少なくとも2本のほぼ平行な超伝導フィラメントを形成する超伝導材料を有しており、この少なくとも2本の超伝導フィラメントは、少なくとも1本の絶縁体ストリップによって互いから分離されており、この少なくとも1本の絶縁体ストリップは、基板の長さ方向に連続して延びており抵抗率が約1mΩcmより大きい絶縁材料を含んでいる。また高温超電導体を製造する方法も開示する。
Claim (excerpt)：
超伝導構造体であって、 この構造体は、少なくとも1つのバッファ層が蒸着された基板を備えており、この基板はある長さと幅を有し寸法比が約102以上であり、 この構造体はまた、前記の少なくとも1つのバッファ層上に超伝導層を備えており、この超伝導層は前記の基板の長さ方向に延びる少なくとも2本のほぼ平行な超伝導フィラメントを形成する超伝導材料を有しており、 前記の少なくとも2本の超伝導フィラメントは互いに反対向きの第1表面と第2表面を有する少なくとも1本の絶縁体ストリップによって互いから分離されており、前記の第1表面はバッファ層に重なっており、前記の第2表面には前記の超伝導材料が実質的に無く、 前記の少なくとも1本の絶縁体ストリップは前記基板の長さ方向に連続して延びており抵抗率が約1mΩcmより大きい絶縁材料を含んでいる構造体。
IPC (4)：
H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  H01F 6/06 ,  C01G 1/00
FI (5)：
H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  H01F5/08 B ,  H01F5/08 N ,  C01G1/00 S
F-Term (28)：
4G047JA04 ,  4G047JA05 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047JC10 ,  4G047LA07 ,  5G321AA04 ,  5G321AA05 ,  5G321AA07 ,  5G321AA98 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321BA14 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA20 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA41 ,  5G321CA48 ,  5G321DB23 ,  5G321DB25 ,  5G321DB35 ,  5G321DB38 ,  5G321DB39 ,  5G321DB42 ,  5G321DB47 ,  5G321DB99
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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