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J-GLOBAL ID:201303025184714427
非晶質炭素膜の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
大川 宏
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2007511222
Patent number:4871860
Application date: Mar. 27, 2006
Claim (excerpt):
【請求項1】 有機化合物を含む液体中に気泡を発生させるとともに該気泡に電磁波を照射して該気泡の内部にプラズマを発生させ、該気泡を基材の表面に接触させて、該基材の表面に非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の製造方法であって、
前記電磁波は、前記非晶質炭素膜の形成開始から終了まで前記気泡に照射され、
前記有機化合物は、炭素数が1〜12であるアルコールおよびフェノールから選ばれる一種以上からなることを特徴とする非晶質炭素膜の製造方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ( 200 6.01)
, C23C 16/27 ( 200 6.01)
FI (2):
C01B 31/02 101 Z
, C23C 16/27
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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プラズマ電気めっき
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-541139
Applicant:チャク・マン・トーマス・チャン
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プラズマを発生させる方法およびプラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-098193
Applicant:株式会社テクノネットワーク四国
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液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-313979
Applicant:株式会社テクノネットワーク四国
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