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J-GLOBAL ID:201303031141393449

改善された下層コーティングを有するシリコン薄膜太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  田中 正 ,  白江 克則
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2012545992
Publication number (International publication number):2013515374
Application date: Dec. 06, 2010
Publication date: May. 02, 2013
Summary:
光照射を通して回折格子を用いて人間の眼に見える技術用途向けの色パターンを作成する方法において、ナノ秒範囲又はピコ秒若しくはフェムト秒範囲の少なくとも1つのレーザー装置によるレーザー微細構造化プロセスによって、固体表面上に回折格子アレイが直接生成される。各回折格子アレイは、長手方向寸法が眼の分解能力を下回る値を有する、スペクトル色を生成する限定された回折格子構造である少なくとも1つの画素81、82、83を含む副領域81で構成される。この色生成回折格子構造を固体表面に直接適用することによって、エンボス加工用具から宝石まで及ぶ多種多様な装飾及び認証の発展性が可能になる。
Claim (excerpt):
基板と、 前記基板の少なくとも一部の上に形成されるアンダーコーティングであって、 酸化スズ又はチタニアを含む第1の層、及び Sn、P、Si、Ti、Al及びZrのうちの少なくとも2つの酸化物を含む酸化物の、組成上均一な混合物又は組成上不均一な混合物を含む第2の層 を備えるアンダーコーティングと、 前記アンダーコーティングの少なくとも一部の上に形成される導電コーティングであって、Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si若しくはInのうちの1つ若しくは複数の酸化物、又はこれらの材料の2つ以上の合金を含む導電コーティングと を備える、シリコン薄膜太陽電池。
IPC (4):
H01L 31/04 ,  G02B 1/10 ,  H01B 5/14 ,  H01L 21/316
FI (4):
H01L31/04 M ,  G02B1/10 Z ,  H01B5/14 A ,  H01L21/316 X
F-Term (28):
2K009CC03 ,  2K009EE03 ,  5F058BA02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F151AA05 ,  5F151BA16 ,  5F151FA03 ,  5F151FA08 ,  5F151FA13 ,  5F151FA18 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03 ,  5F151GA06 ,  5G307FA03 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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