ヘテロエピタキシャル成長したグラフェンの剥離および転写技術およびそれを含む生成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：野河信太郎 , 甲斐伸二 , 金子裕輔 , 稲本潔 , 冨田雅己
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012523598
Publication number (International publication number)：2013502050
Application date： Jul. 22, 2010
Publication date： Jan. 17, 2013
Summary：

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C2H2、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。

Claim (excerpt)：

触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ; 前記グラフェン薄膜上の前記触媒薄膜と反対の表面上にポリマーベース膜を配置し; 前記ポリマーベース膜を硬化させ;かつ前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を前記触媒薄膜から剥離させることを含むグラフェン薄膜の単離方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L27/12 B , H01L21/20

F-Term (10)：

5F152LL03 , 5F152LP08 , 5F152MM13 , 5F152NN03 , 5F152NN10 , 5F152NN11 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NP17 , 5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

膜の転写方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-352908 Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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