磁気抵抗効果素子、磁界検出器、電流検出器、磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：曾我道治 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 大宅一宏 , 上田俊一 , 吉田潤一郎 , 飯野智史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012100187
Publication number (International publication number)：2013229444
Application date： Apr. 25, 2012
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】ヒシテリシスを抑制した高精度でかつ高感度な特性と、製造と集積化の容易さを両立した磁気抵抗効果素子等を提供する。【解決手段】膜面に対して垂直方向を磁化容易軸とする強磁性層からなる自由層(8)と、トンネル絶縁層(9)と、前記トンネル絶縁層を介して前記自由層と対向する膜面方向に磁化した強磁性層からなる固着層(10)と、が積層され、外部から磁界を印加しない状態において前記自由層と前記固着層の磁化の膜面への投影成分が互いに直交することを特徴とする磁気抵抗効果素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面に対して垂直方向を磁化容易軸とする強磁性層からなる自由層と、トンネル絶縁層と、前記トンネル絶縁層を介して前記自由層と対向する膜面方向に磁化した強磁性層からなる固着層と、が積層され、外部から磁界を印加しない状態において前記自由層と前記固着層の磁化の膜面への投影成分が互いに直交することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 43/12 , G01R 33/09 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 41/18

FI (8)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01L43/10 , H01L43/12 , G01R33/06 R , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F41/18

F-Term (32)：

2G017AA01 , 2G017AA10 , 2G017AD55 , 2G017BA05 , 2G017BA09 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049BA30 , 5E049CB01 , 5E049DB14 , 5E049GC01 , 5F092AA01 , 5F092AB01 , 5F092AC12 , 5F092AD05 , 5F092AD22 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092CA02 , 5F092CA22 , 5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-070839 Applicant：三菱電機株式会社
磁気抵抗記憶素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-032888 Applicant：日本電気株式会社
高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-501017 Applicant：グランディスインコーポレイテッド

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