磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005070839
Publication number (International publication number)：2006253562
Application date： Mar. 14, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子における固着層とトンネル絶縁層との界面の粗さのばらつきに起因する外部磁界に対する応答特性への影響を抑制する。【解決手段】磁気抵抗効果素子(1)は、固着層(9)と、トンネル絶縁層(10)と、トンネル絶縁層上に形成される自由層(11)を含む。自由層(11)と固着層との無磁界時の磁化方向は、好ましくは、実質的に相対角が90度をなしており、また、トンネル絶縁層は膜厚1.8nmから5nmの範囲の膜厚を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

反強磁性層および前記反強磁性層により磁化方向が固定される磁性体層を含む固着層、外部印加磁界により磁化方向が変化しかつ外部無磁界時においては前記磁化方向が前記固着層の磁化方向に対して平行および反平行以外の角度をなす磁性体層で構成される自由層、および前記固着層と前記自由層との間に配置されかつ膜厚が1.8nmから5nmの範囲であるトンネル絶縁層を備える、磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , H01L 43/12 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , G01R 33/09

FI (4)：

H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L27/10 447 , G01R33/06 R

F-Term (5)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5F083FZ10 , 5F083JA39 , 5F083PR01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特公平8-21166号公報
スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-399868 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-206311 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Cited by examiner (6)

磁気検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-279195 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気トンネル接合素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-202922 Applicant：ヤマハ株式会社
トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-056955 Applicant：松下電器産業株式会社

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