高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：恩田博宣 , 恩田誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007501017
Publication number (International publication number)：2007525847
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

磁気メモリに用い得る磁気素子を作製するための方法及びシステムを開示する。磁気素子には、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層とが含まれる。スペーサ層は固定層と自由層との間にある。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン転移を用いて切換え得る。磁気素子には更に、バリア層と第2固定層とを含み得る。他の選択肢として、第2固定層と第2スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第2自由層とが含まれる。少なくとも1つの自由層が高垂直異方性を有する。高垂直異方性は、面外減磁エネルギの少なくとも20%であり且つ100パーセント未満である垂直異方性エネルギを有する。

Claim (excerpt)：

固定層と、非磁性であるスペーサ層と、自由層磁化を有する自由層と、が含まれ、前記スペーサ層が、前記固定層と前記自由層との間にあり、前記自由層が、高垂直異方性及び面外減磁エネルギを有し、前記高垂直異方性が、前記面外減磁エネルギの少なくとも20パーセントであり且つ100パーセント未満である垂直異方性エネルギを有し、前記磁気素子は、書き込み電流が前記磁気素子を通過する時、前記自由層磁化がスピン転移により切り替えられるように構成される磁気素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (4)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 112

F-Term (28)：

4M119AA01 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD22 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277687 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝
磁性体論理素子及び磁性体論理素子アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-094877 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

スピン注入磁化反転の現状と課題

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