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J-GLOBAL ID：201303046832139830

ダイヤモンド基板

Inventor： 徳田 規夫 ,  猪熊 孝夫 ,  有屋田 修 ,  山崎 聡
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学 ,  アリオス株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 大谷 嘉一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011159584
Publication number (International publication number)：2013023408
Application date： Jul. 21, 2011
Publication date： Feb. 04, 2013
Summary：

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/205

FI (6)：

C30B29/04 P ,  C30B33/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C16/01 ,  H01L21/205

F-Term (41)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB11 ,  4G077DB19 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA12 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶ダイヤモンド基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-100870   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所