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J-GLOBAL ID：201003012850450913

単結晶ダイヤモンド基板

Inventor： 徳田 規夫 ,  小倉 政彦 ,  加藤 宙光 ,  竹内 大輔 ,  牧野 俊晴 ,  小山 和博 ,  大串 秀世 ,  山崎 聡
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009100870
Publication number (International publication number)：2010251599
Application date： Apr. 17, 2009
Publication date： Nov. 04, 2010
Summary：

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド{111}基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板を得ることを課題とする。【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド{111}基板。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511

FI (4)：

H01L21/02 B ,  C30B29/04 Q ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

F-Term (26)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン基板の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-113104   Applicant：日本電信電話株式会社