磁気抵抗素子および磁気メモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012064344
Publication number (International publication number)：2013197406
Application date： Mar. 21, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Summary：

【課題】低飽和磁化かつ高垂直磁気異方性を有する磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられた第1非磁性層と、前記第1非磁性層上に設けられた第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および前記第2磁性層の少なくとも一方は、三元系MnxAlyGez(10atm%≦x≦44atm%、10atm%≦y≦65atm%、10atm%≦z≦80atm%、x+y+z=100atm%)である磁性膜を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 10/12 , H01F 10/32

FI (5)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F10/12 , H01F10/32

F-Term (46)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 5E049AA10 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE02 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE15 , 5F092BE21 , 5F092BE24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-242854 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-221569 Applicant：株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
特開昭61-084005

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