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J-GLOBAL ID：201103048480364771

磁気抵抗素子及び磁気メモリ

Inventor： 甲斐 正 ,  西山 勝哉 ,  永瀬 俊彦 ,  吉川 将寿 ,  北川 英二 ,  大坊 忠臣 ,  長嶺 真 ,  中山 昌彦 ,  下村 尚治 ,  與田 博明 ,  薬師寺 啓 ,  湯浅 新治 ,  久保田 均 ,  長浜 太郎 ,  福島 章雄 ,  安藤 功兒
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (19)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009221569
Publication number (International publication number)：2011071352
Application date： Sep. 25, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。【解決手段】本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1磁性層3と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第2磁性層2と、第1磁性層3と第2磁性層2との間に設けられる第1非磁性層4とを含む。第1磁性層3は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、c軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。第1磁性層3の磁化方向は、第1磁性層3、第1非磁性層4及び第2磁性層2を貫く双方向電流により変化する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1磁性層と、 膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられる第1非磁性層とを具備し、 前記第1磁性層は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、c軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成され、 前記第1磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層、前記第1非磁性層及び前記第2磁性層を貫く双方向電流により変化することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32

FI (5)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32

F-Term (38)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094625   Applicant：株式会社東芝
• 交換結合膜及び磁気デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-250737   Applicant：富士通株式会社
• 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154448   Applicant：昭和電工株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-172845   Applicant：株式会社東芝
• 磁気メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-202344   Applicant：三星電子株式会社
• 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-086422   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-094625   Applicant：株式会社東芝
• 交換結合膜及び磁気デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-250737   Applicant：富士通株式会社
• 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154448   Applicant：昭和電工株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-172845   Applicant：株式会社東芝
• 磁気メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-202344   Applicant：三星電子株式会社
• 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-086422   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Epitaxially Grown FCC/BCC/HCP Multi-Underlayers for High Performance Perpendicular Media

Cited by examiner (1)

• Epitaxially Grown FCC/BCC/HCP Multi-Underlayers for High Performance Perpendicular Media