Pat

J-GLOBAL ID：201303057480055411

窒化物半導体発光素子

Inventor： 高野 隆好 ,  椿 健治 ,  平山 秀樹 ,  藤川 紗千恵
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所
Agent (1)： 西川 惠清
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008168516
Publication number (International publication number)：2009260203
Patent number：5279006
Application date： Jun. 27, 2008
Publication date： Nov. 05, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶基板と、当該単結晶基板の一表面側に形成された第1のバッファ層と、第1のバッファ層の表面側に形成されたn形窒化物半導体層と、n形窒化物半導体層の表面側に形成された第2のバッファ層と、第2のバッファ層の表面側に形成された発光層と、発光層の表面側に形成されたp形窒化物半導体層とを備え、第2のバッファ層と発光層との間に、ドナーとなる不純物が添加された第3のバッファ層が設けられてなり、第3のバッファ層の構成元素が第2のバッファ層の構成元素と同一であり、且つ、第3のバッファ層の膜厚が、第2のバッファ層の膜厚よりも厚く、第3のバッファ層の前記不純物の濃度が、第2バッファ層の前記不純物の濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/32 ( 201 0.01)

FI (1)：

H01L 33/00 186

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-305281   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体と発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-313554   Applicant：住友化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-036250   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-286728   Applicant：日亜化学工業株式会社