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J-GLOBAL ID：201303058900028373

三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法

Inventor： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京農工大学
Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2011060892
Publication number (International publication number)：WO2011142402
Application date： May. 11, 2011
Publication date： Nov. 17, 2011
Summary：

本発明では、金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、を有する三塩化ガリウムガスの製造方法が提供される。

Claim (excerpt)：

金属ガリウムと塩素ガスとを反応させて一塩化ガリウムガスを生成する第1工程と、 生成した一塩化ガリウムガスと塩素ガスとを反応させて三塩化ガリウムガスを生成する第2工程と、 を有する三塩化ガリウムガスの製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (15)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077EG22 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC07 ,  4G077TG03 ,  4G077TH01 ,  4G077TH13