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J-GLOBAL ID:201303061777059960

光触媒水素生成デバイスおよび水素製造設備

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 渡邉 彰 ,  岸本 瑛之助 ,  松村 直都
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011221492
Publication number (International publication number):2013081874
Application date: Oct. 06, 2011
Publication date: May. 09, 2013
Summary:
【課題】 太陽光を利用して水蒸気を分解し、水素を生成することを可能とする光触媒水素生成デバイスおよびこれを使用して水素を製造する水素製造設備を提供する。【解決手段】 光触媒水素生成デバイス1は、電解質層21と、電解質層21の上方の面に形成された光触媒陽極22と、電解質層21の下方の面に形成された水素生成陰極23とを備えている。電解質層21は、プロトン伝導性を持つ固体高分子電解質膜とされている。光触媒陽極22は、光触媒粒子24、電子伝導体25およびプロトン伝導体26からなる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
電解質層と、電解質層の一方の面に形成された光触媒陽極と、電解質層の他方の面に形成された水素生成陰極とを備えている水素生成デバイスであって、電解質層は、プロトン伝導性を持つ固体高分子電解質膜とされ、光触媒陽極は、光触媒粒子、電子伝導体およびプロトン伝導体からなることを特徴とする光触媒水素生成デバイス。
IPC (6):
B01J 35/02 ,  C01B 3/04 ,  C01B 13/02 ,  B01J 37/34 ,  C25B 1/04 ,  C25B 9/00
FI (6):
B01J35/02 J ,  C01B3/04 A ,  C01B13/02 B ,  B01J37/34 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 A
F-Term (59):
4G042BA08 ,  4G042BA09 ,  4G042BB04 ,  4G169AA02 ,  4G169BA04B ,  4G169BA08B ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA24A ,  4G169BA24B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04B ,  4G169BB09B ,  4G169BB11B ,  4G169BB13B ,  4G169BC17B ,  4G169BC36B ,  4G169BC50B ,  4G169BC56B ,  4G169BD02B ,  4G169BD06B ,  4G169BD07B ,  4G169BD08B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169DA10 ,  4G169EA08 ,  4G169EC28 ,  4G169EE06 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FA10 ,  4G169FB58 ,  4G169FB79 ,  4G169HA01 ,  4G169HA14 ,  4G169HB01 ,  4G169HC13 ,  4G169HC21 ,  4G169HC27 ,  4G169HC28 ,  4G169HC36 ,  4G169HD05 ,  4G169HD17 ,  4G169HE04 ,  4G169HF01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BB05 ,  4K021BC01 ,  4K021BC07 ,  4K021BC09 ,  4K021CA01 ,  4K021CA05 ,  4K021CA08 ,  4K021CA09 ,  4K021DB18 ,  4K021DB40 ,  4K021DC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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