レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011265716
Publication number (International publication number)：2012081522
Patent number：5255109
Application date： Dec. 05, 2011
Publication date： Apr. 26, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工方法であって、前記レーザ光を変調する反射型空間光変調器と、前記反射型空間光変調器によって変調された前記レーザ光を前記加工対象物の内部に集光する集光光学系と、レンズとしての機能を有する第1の光学素子及び第2の光学素子を有すると共に前記反射型空間光変調器と前記集光光学系との間の光路上に配置される調整光学系と、を用意し、前記反射型空間光変調器での波面形状と前記集光光学系での波面形状とを相似的に一致させると共に前記第1の光学素子と前記第2の光学素子とが両側テレセントリック光学系となるように、前記第1の光学素子及び前記第2の光学素子を配置し、前記改質領域を形成する際には、前記加工対象物の内部における前記レーザ光の集光点を合わせる位置で発生する前記レーザ光の収差が所定の収差以下となるように反射型空間光変調器によって前記レーザ光を変調することを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (4)：

B23K 26/06 ( 200 6.01) , B23K 26/00 ( 200 6.01) , B23K 26/38 ( 200 6.01) , B23K 26/40 ( 200 6.01)

FI (4)：

B23K 26/06 Z , B23K 26/00 M , B23K 26/38 320 , B23K 26/40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-331209 Applicant：株式会社デンソー
レーザ集光装置及びレーザ加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-035170 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに加工された構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-019193 Applicant：株式会社リコー

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