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J-GLOBAL ID：200903093428077508

半導体チップの製造方法

Inventor：
丸山 ユミ

About 丸山 ユミ


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 田下 明人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005331209
Publication number (International publication number)：2007141995
Application date： Nov. 16, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】シート、または、接着層が変質することを防止し、かつ、半導体基板内のシートとの接着面近傍を狙って、半導体基板の分割のために十分な量の改質領域を形成することができる半導体チップの製造方法を実現する。【解決手段】 半導体基板21の裏面21bには、全面に厚さ数μmのアルミニウム膜25が形成されているため、レーザ光Lの集光点が改質領域Ksを形成するために予定していた集光点Paよりシート41側にずれてしまい、シート41内部の集光点Pbに移動してしまう場合であっても、レーザ光Lが集光する前に、アルミニウム膜25により反射される。したがって、レーザ光Lが実際に集光点Pbで集光することがないため、接着層52やシート41が熱影響により変質するおそれがない。更に、分割の起点となる裏面21b近傍を狙って改質領域Kを形成することができる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
一方の基板面にシートの接着面が接着された半導体基板を用意し、 この半導体基板をその厚さ方向に分割するための分割予定ラインに沿って、レーザ光を前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、 この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記シートを拡張することにより、前記改質領域を起点にして、前記分割予定ラインに沿って厚さ方向に分割して半導体チップを得る分割工程と、を備えた半導体チップの製造方法において、 前記基板面の少なくとも前記分割予定ライン上に、前記レーザ光を反射する反射材が形成されていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (4)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40
F-Term (3)：
4E068AE01 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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