ナノ精度の光/電気化学的平坦化及びポリシング加工方法、並びにその装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：特許業務法人津国 , 津国肇 , 柳橋泰雄 , 伊藤佐保子 , 小澤圭子 , 三宅俊男 , 小國泰弘 , 田中洋子 , 生川芳徳 , 柴田明夫 , 石岡隆
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013516985
Publication number (International publication number)：2013538169
Application date： Jun. 30, 2011
Publication date： Oct. 10, 2013
Summary：

ナノ精度の光/電気化学的な平坦化及びポリシング加工方法及びその装置を提供する。前記方法は、ナノ平坦精度を有するバイト表面上に、電気化学、光化学または光電気化学的な方法によってエッチング剤を生成することを含む。エッチング剤と作動溶液中の除去剤との化学反応、又はエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を生成する。エッチング剤とワークとの化学反応によって、ワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さを達成させることにより、ワークに対するナノ精度の平坦化及びポリシングを実現する。

Claim (excerpt)：

ナノ平坦精度を有するバイト表面上に、電気化学、光化学または光電気化学的な方法によってエッチング剤を生成すること; エッチング剤と作動溶液中の除去剤との化学反応、又はエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を生成すること;及びエッチング剤液層中のエッチング剤とワークとの化学反応によって、ワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さを達成させることにより、ワークに対するナノ精度の平坦化及びポリシングを実現することを含む、光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。

IPC (3)：

C04B 41/91 , H01L 21/306 , C23F 1/08

FI (3)：

C04B41/91 A , H01L21/306 L , C23F1/08

F-Term (25)：

4K057WA04 , 4K057WB04 , 4K057WB06 , 4K057WD01 , 4K057WD10 , 4K057WE01 , 4K057WE03 , 4K057WE12 , 4K057WF06 , 4K057WG10 , 4K057WM20 , 4K057WN01 , 5F043AA02 , 5F043AA13 , 5F043AA16 , 5F043AA26 , 5F043AA31 , 5F043BB01 , 5F043BB06 , 5F043BB10 , 5F043BB22 , 5F043DD08 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043FF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体製造プロセス用ドライエッチング残渣除去液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-339155 Applicant：岸本産業株式会社, フアインポリマーズ株式会社
シリコンウエハーエッチング用苛性ソーダ水溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-193735 Applicant：旭化成ケミカルズ株式会社
ウエハ洗浄装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-028065 Applicant：ソニー株式会社

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