ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012100671
Publication number (International publication number)：2013229458
Application date： Apr. 26, 2012
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】本発明は、高耐圧化とともに大電流化が可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、チャネル層3と、チャネル層3上に形成されたバリア層4と、バリア層4上に形成され、当該バリア層4よりも格子定数が小さく、かつ、第1の開口部を有する第1のキャップ層5と、第1のキャップ層5上に形成され、当該第1のキャップ層5よりも格子定数が大きく、かつ、平面視第1の開口部を包含し第1の開口部よりも大きい第2の開口部を有する第2のキャップ層6と、少なくとも第1、第2の開口部の重なる領域においてバリア層4上に形成されたゲート電極11とを備え、第1のキャップ層5と第2のキャップ層6とは組成が異なることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成され、当該バリア層よりも格子定数が小さく、かつ、第1の開口部を有する第1のキャップ層と、前記第1のキャップ層上に形成され、当該第1のキャップ層よりも格子定数が大きく、かつ、平面視前記第1の開口部を包含し前記第1の開口部よりも大きい第2の開口部を有する第2のキャップ層と、少なくとも前記第1、第2の開口部の重なる領域において前記バリア層上に形成されたゲート電極と、を備え、前記第1のキャップ層と前記第2のキャップ層とは組成が異なることを特徴とする、ヘテロ接合電界効果型トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (5)：

H01L29/80 H , H01L29/44 S , H01L21/28 301B , H01L29/58 Z , H01L29/58 G

F-Term (47)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD13 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF06 , 4M104FF17 , 4M104FF31 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM09 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC07 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-216835 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-308620 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-318058 Applicant：パナソニック株式会社

Return to Previous Page