Pat

J-GLOBAL ID：201303068644512446

強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス

Inventor： ヴァン バスカーク,ピーター,シー. ,  ローダー,ジェフリー,エフ. ,  ビロデュー,スティーブン,エム. ,  ラッセル,マイケル,ダブリュ. ,  ジョンストン,スティーブン,ティー. ,  ベスティック,ダニエル,ジェイ. ,  バーム,トーマス,エイチ.
Applicant, Patent owner： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
Agent (1)： 稲葉 良幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013125829
Publication number (International publication number)：2013243133
Application date： Jun. 14, 2013
Publication date： Dec. 05, 2013
Summary：

【課題】本発明は、独自の特性を有し、PZT薄膜キャパシタへの適用性及び例えばFeRAMsのような強誘電体キャパシタ構造への適用性を有するジルコン酸チタン酸鉛(PZT)材料に関する。【解決手段】PZT材料はスケーラブルであり、すなわち、寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および/またはその特性において電界スケーラブルであり、例えば約20ナノメートルから約150ナノメートルの広い厚さの範囲、および、0.15μmまで低く延在する横寸法の範囲に亘って強誘電体キャパシタに有用である。本発明のスケーラブルなPZT材料は、例えば、Nb、Ta、La、Sr、Ca等である材料アクセプタドーパントまたはフィルム改質剤等のPZTフィルム改質技術無しに、液体供給MOCVDにより形成され得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

寸法的にスケーラブルで、パルス長スケーラブルで、および/または電界スケーラブルである特徴を有する強誘電性PZT材料。

IPC (4)：

H01B 3/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01G 4/33

FI (3)：

H01B3/12 301 ,  H01L27/10 444C ,  H01G4/06 102

F-Term (30)：

5E082AB01 ,  5E082BB10 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG42 ,  5F083FR01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083PR21 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "Uniform Ultra-Thin Pb(Zr,Ti)O3 Films Formed by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition and Their El
• "Capacitor-on-Metal/Via-stacked-Plug(CMVP) Memory Cell for 0.25μm CMOS Embedded FeRAM"