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J-GLOBAL ID：201303072338871898
透明強磁性単結晶化合物の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西 義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006510484
Patent number：4708334
Application date： Feb. 25, 2005
Claim (excerpt)：
【請求項1】透明強磁性単結晶化合物を製造する方法において、
該化合物として、
アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物から選ばれる光を透過するワイドバンドギャップ化合物を用いること、
該化合物を基板上に成膜する方法として、MBE法を用いること、
該化合物の成膜時に、B,C,N,O,F,Si,Geから選ばれる最外殻に不完全なp電子殻をもつ少なくとも1種の元素を原子状に蒸発させて、成長した該化合物に1at%〜25at%固溶させることの組み合わせ
によって完全スピン分極した、強磁性転移温度が300度K以上である単結晶化合物を成膜することを特徴とする透明強磁性単結晶化合物の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/46 ( 200 6.01)
, H01F 1/00 ( 200 6.01)
