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J-GLOBAL ID:200903040845175923
分子線エピタキシ用試料及び蒸発源
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中西 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000302430
Publication number (International publication number):2002114595
Application date: Oct. 02, 2000
Publication date: Apr. 16, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、試料使用期間中にわたり、蒸発量が変動することなく、しかも、高融点物質をより高い蒸発速度で蒸発することが可能な分子線エピタキシ用試料及び蒸発源を提供することを目的とする。さらに、蒸発速度が試料面内で均一な分子線エピタキシ用試料及び蒸発源を提供することを目的とする。【解決手段】 蒸発源を、板状固体試料を充填したルツボとこれを加熱する面状の発熱体とから構成し、該面状発熱体は前記ルツボの底面に形成した抵抗体とすることを特徴とする。また、板状固体試料の基板側表面に凹凸を形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt):
ルツボを加熱して内部に充填された固体試料を蒸発させ、該固体試料の薄膜又は該固体試料を含む薄膜を基板上に成長させる分子線エピタキシにおいて、前記固体試料を板状とし、その基板側表面に凹凸を形成したことを特徴とする分子線エピタキシ用試料。
IPC (5):
C30B 23/08
, B01J 19/00
, C30B 29/42
, G01N 1/28
, H01L 21/203
FI (5):
C30B 23/08 M
, B01J 19/00 L
, C30B 29/42
, H01L 21/203 M
, G01N 1/28 N
F-Term (35):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075AA62
, 4G075AA63
, 4G075BB02
, 4G075BC05
, 4G075BD04
, 4G075BD14
, 4G075BD26
, 4G075CA02
, 4G075CA12
, 4G075EB13
, 4G077AA03
, 4G077BE46
, 4G077DA06
, 4G077EB01
, 4G077EB10
, 4G077HA06
, 4G077SC06
, 4G077SC12
, 5F103AA04
, 5F103BB02
, 5F103DD01
, 5F103DD03
, 5F103DD16
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103JJ01
, 5F103JJ03
, 5F103KK01
, 5F103KK10
, 5F103LL11
, 5F103NN02
, 5F103RR01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平1-305892
-
結晶成長装置および結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-054299
Applicant:株式会社ジャパンエナジー
-
複層セラミックスヒ-タ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-016983
Applicant:信越化学工業株式会社
-
成膜方法,成膜装置及び固形原料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-211287
Applicant:株式会社東芝
-
CVD成膜法における原料化合物の昇華方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-068964
Applicant:同和鉱業株式会社, パイオニア株式会社
-
特開平1-261297
-
埋め込み成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-028609
Applicant:松下電器産業株式会社
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