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J-GLOBAL ID：201303072843418081

2安定抵抗値取得装置及びその製造方法

Inventor： 神 好人 ,  酒井 英明 ,  嶋田 勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010066138
Publication number (International publication number)：2010187004
Patent number：5189613
Application date： Mar. 23, 2010
Publication date： Aug. 26, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板の上に形成されて少なくとも2つの金属を含んだ金属酸化物から構成された所定の厚さの第1金属酸化物層と、 この第1金属酸化物層の一方の面に接して形成された第1電極と、 前記第1金属酸化物層の他方の面に接して形成された第2電極と、 前記基板の上に形成された非晶質状態の非晶質層と、 この非晶質層の上に形成されて結晶状態の導電性材料から構成された前記第1電極,この第1電極の上に形成された前記第1金属酸化物層,及びこの第1金属酸化物層の上に形成された前記第2電極より構成された複数の素子と、 これら素子の間の前記非晶質層の上に接して形成されて前記金属酸化物から構成された分離層と を少なくとも備え、 前記分離層により複数の前記素子が分離され、 前記金属酸化物は、印加された電気信号により抵抗値が変化することを特徴とする2安定抵抗値取得装置。

IPC (3)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 45/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-516946   Applicant：ベルコミュニケーションズリサーチ,インコーポレイテッド
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-302133   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-077921   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社

Cited by examiner (4)

• ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-516946   Applicant：ベルコミュニケーションズリサーチ,インコーポレイテッド
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-302133   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-077921   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社