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J-GLOBAL ID：201303073669714527

有機半導体メモリとその情報記録、再生、消去方法

Inventor： 辻岡 強 ,  入江 正浩 ,  中村 振一郎
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 大阪教育大学
Agent (3)： 山本 典輝 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006243230
Publication number (International publication number)：2008066533
Patent number：5088725
Application date： Sep. 07, 2006
Publication date： Mar. 21, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】記録層と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有する有機半導体メモリであって、前記記録層が、フォトクロミック化合物であるジアリールエテン誘導体を含有するものであり、 前記ソース電極の仕事関数が前記ドレイン電極の仕事関数よりも大きく、 前記ソース電極から前記記録層へホールを注入するとともに前記ドレイン電極から前記記録層へ電子を注入することで起こる前記ジアリールエテン誘導体の閉環反応と、前記ソース電極から前記記録層へホールを注入することで起こる前記ジアリールエテン誘導体の開環反応と、を利用して情報の記録及び/又は消去を行うことを特徴とする有機半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/28 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 27/10 449 ,  H01L 29/28 100 B ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 613

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 導電路形成層、光応答素子、および光応答装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-330294   Applicant：ソニー株式会社
• 特願2006-087591
  Application number：特願2006-087591  
• 特開平4-137666
  
• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-162497   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フォトクロミックジアリールエテンを用いた有機分子メモリ特性の素子構造依存性 Organic molecular memory