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J-GLOBAL ID：201303074855885370

Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びCu-Ga合金粉末

Inventor： 佐藤 恵理子 ,  安東 勲雄
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (5)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012066129
Publication number (International publication number)：2013194313
Application date： Mar. 22, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Summary：

【課題】中央部と端部とにおいて密度が均一であり、Ga濃度の均一性に優れ、ターゲット加工中及びスパッタリング中に割れ欠けがなく、異常放電の発生が抑制されたCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ga濃度が15質量%〜45質量%であり、圧縮度が0%〜25%であり、かつタップ密度と嵩密度の比が1.00〜1.35であるCu-Ga合金粉末を熱処理後、焼結して得る。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

中央部と端部との密度差が0.10g/cm3未満であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  C22C 1/04 ,  B22F 1/00 ,  H01L 31/04

FI (7)：

C23C14/34 A ,  C22C9/00 ,  C22C1/04 A ,  B22F1/00 L ,  B22F1/00 E ,  B22F1/00 C ,  H01L31/04 E

F-Term (21)：

4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC02 ,  4K018BC08 ,  4K018BC12 ,  4K018BC16 ,  4K018BC19 ,  4K018BC23 ,  4K018EA02 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K018KA63 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Cu-Ga合金ターゲット材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-140203   Applicant：日立金属株式会社
• Cu-Ga合金粉末の製造方法及びCu-Ga合金粉末、並びにCu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu-Ga合金スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-187160   Applicant：住友金属鉱山株式会社