Cu-Ga合金ターゲット材およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011140203
Publication number (International publication number)：2012031508
Application date： Jun. 24, 2011
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：

【課題】スパッタリングの際に安定した成膜が可能なCu-Ga合金ターゲット材を提供する。【解決手段】 Gaを10〜95質量%含有し、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu-Ga合金ターゲット材であって、組織が平均粒径300μm以下のCu-Ga合金相からなり、ターゲット材中の各部位のGa含有量のターゲット材全体のGa含有量の平均値に対する変動量が±3%以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±2%以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が100%以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±20%以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が300質量ppm以下であるCu-Ga合金ターゲット材。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Gaを10〜95質量%含有し、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu-Ga合金ターゲット材であって、組織が平均粒径300μm以下のCu-Ga合金相からなり、ターゲット材中の各部位のGa含有量のターゲット材全体のGa含有量の平均値に対する変動量が±3%以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±2%以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が100%以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±20%以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が300質量ppm以下であることを特徴とするCu-Ga合金ターゲット材。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C22C 9/00 , C22C 28/00 , C22C 1/04

FI (5)：

C23C14/34 A , C22C9/00 , C22C28/00 B , C22C1/04 A , C22C1/04 E

F-Term (13)：

4K018AA04 , 4K018AA40 , 4K018DA11 , 4K018EA02 , 4K018EA13 , 4K018EA32 , 4K018KA29 , 4K018KA32 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC09 , 4K029DC34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

銅ガリウム合金およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-074566 Applicant：住友化学株式会社
Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-244011 Applicant：真空冶金株式会社
Cu-Ga合金材、スパッタリングターゲット、及びCu-Ga合金材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-115198 Applicant：日立電線株式会社

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