Pat
J-GLOBAL ID：201303074938274594
強磁性半導体素子
山田 良則
About 山田 良則
Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構
About 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (3)： 平山 一幸 , 篠田 哲也 , 小川 耕太
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009080616
Publication number (International publication number)：2010232562
Patent number：5286502
Application date： Mar. 27, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Claim (excerpt)：
【請求項1】 基板と、
上記基板上に設けられた遷移元素ドープ二酸化チタン層と、
上記遷移元素ドープ二酸化チタン層上に設けられた電解液と、
上記電解液と接触するように設けられたゲート電極と、
を含み、
上記遷移元素がCo又はFeであり、
上記電解液がCsClO4、Sr(ClO4)2、KClO4、NaClO4、LiClO4の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる、強磁性半導体素子。
IPC (3)：
FI (3)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
-
強磁性伝導体材料およびその製造方法、並びに磁気抵抗素子、電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-050216 Applicant：財団法人大阪産業振興機構, 国立大学法人大阪大学 -
混晶化二酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-046540 Applicant：国立大学法人東北大学 -
コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-015502 Applicant：国立大学法人東北大学
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved