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J-GLOBAL ID：201303080438221940

光センサー

Inventor： 横山 光 ,  大澤 耕 ,  浅野 雅己
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011184645
Publication number (International publication number)：2013044703
Application date： Aug. 26, 2011
Publication date： Mar. 04, 2013
Summary：

【課題】信号対雑音比が改善され構造が単純な光センサーを提供する。【解決手段】光熱変換体と焦電体とが熱結合される。光熱変換体には周期構造が形成される。周期構造においては、単位構造が周期的に配列される。単位構造の一部のみが負の誘電率を持つ物質で占められる。焦電体の電気的性質は、熱より変化する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光センサーであって、 周期構造が形成され、前記周期構造において単位構造が周期的に配列され、前記単位構造の各々の一部のみが負の誘電率を持つ物質で占められる光熱変換体と、 前記光熱変換体に熱結合され、熱により電気的性質が変化する熱感応体と、 を備える光センサー。

IPC (1)：

G01J 1/02

FI (3)：

G01J1/02 R ,  G01J1/02 Y ,  G01J1/02 C

F-Term (13)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065AB03 ,  2G065AB04 ,  2G065BA02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA40 ,  2G065BB04 ,  2G065BB24 ,  2G065BB25 ,  2G065CA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体光素子および半導体光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-250247   Applicant：三菱電機株式会社
• 光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-230570   Applicant：キヤノン株式会社
• 検出素子及び画像形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-075052   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• “Effective medium properties and photonic crystal superstructures of metallic nanoparticle arrays”
• “Intra-connected three-dimensionally isotropic bulk negative index photonic metamaterial”
• “Multilayered Three-Dimensional Structres of Ag Nanoparticles in Anodic Porous Alumina”