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J-GLOBAL ID:201303083263469250

ダイヤモンド微小電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 勝沼 宏仁 ,  中村 行孝 ,  横田 修孝 ,  伊藤 武泰 ,  小島 一真
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2013504282
Publication number (International publication number):2013525758
Application date: Apr. 14, 2011
Publication date: Jun. 20, 2013
Summary:
電気絶縁性ダイヤモンド様炭素材料により覆われた電気伝導性ダイヤモンド材料の一つ以上の領域を含んでなる分析表面を有する電気化学分析の微小電極であって、前記ダイヤモンド様炭素材料が、(a)電気伝導性ダイヤモンド材料よりも低い硬度と、(b)少なくとも1×109オームcmの抵抗率とを有し、前記微小電極が、一つ以上の領域を外部回路と電気的に接続させる接続手段(10)を備えている微小電極。
Claim (excerpt):
電気絶縁性ダイヤモンド様炭素材料に覆われた電気伝導性ダイヤモンド材料の一つ以上の領域を含んでなる分析表面を有する微小電極であって、前記ダイヤモンド様炭素材料が、 (a)電気伝導性ダイヤモンド材料よりも低い硬度と、 (b)少なくとも1×109オームcmの抵抗率と を有し、前記微小電極が、一つ以上の領域を外部回路に電気的に接続させる接続手段を備えている、微小電極。
IPC (1):
G01N 27/30
FI (2):
G01N27/30 B ,  G01N27/30 F
F-Term (5):
4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • ダイヤモンドマイクロ電極
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願2006-522423   Applicant:エレメントシックスリミテッド
  • 電極装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-016587   Applicant:シーメンス-エレマアクチボラゲット
  • ダイヤモンド微小電極およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2007-300373   Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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