ダイヤモンド微小電極およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007300373
Publication number (International publication number)：2009128041
Application date： Nov. 20, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】電極材料および絶縁材料がすべてダイヤモンドであり、かつ、3次元的な表面構造を有する、微小電極アレー及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド電極アレー表面において、各電極における電極部分および絶縁部分がすべてダイヤモンドであり、電極部分が絶縁表面より突出した3次元構造であることを特徴とするダイヤモンド微小電極及びその製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド電極アレー表面において、各電極における電極部分および絶縁部分がすべてダイヤモンドであり、電極部分が絶縁表面より突出した3次元構造であることを特徴とするダイヤモンド微小電極。

IPC (1)：

G01N 27/30

FI (2)：

G01N27/30 B , G01N27/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

微小電極アレイおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-078674 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー
マイクロダイヤモンド電極製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-184243 Applicant：学校法人慶應義塾, 株式会社堀場製作所

Cited by examiner (4)

ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-198089 Applicant：凸版印刷株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
ダイヤモンドマイクロ電極
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-522423 Applicant：エレメントシックスリミテッド
マイクロダイヤモンド電極製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-184243 Applicant：学校法人慶應義塾, 株式会社堀場製作所

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