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J-GLOBAL ID：201303088997288796

スピン流増幅装置

Inventor： 市村 雅彦 ,  菅野 量子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012029825
Publication number (International publication number)：2013168447
Application date： Feb. 14, 2012
Publication date： Aug. 29, 2013
Summary：

【課題】非磁性導電体中のスピン流を増幅する機構を提供する。【解決手段】純粋スピン流が生じる非磁性導電体10に、磁壁の挿入された強磁性体13を接合し、接合部分に磁壁14を位置させる。外部磁場Bなどによって磁壁14を移動させ、磁壁移動に伴うスピン起電力により、スピン流を構成する上向きスピンと下向きスピンに個別にエネルギー付与を行い、スピン流の増幅を行う。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

非磁性導電体と、第1の強磁性体と電流源を備え前記非磁性導電体にスピン注入するスピン注入部と、前記スピン注入部から注入され前記非磁性導電体中を拡散するスピン流を増幅するスピン流増幅部とを有し、 前記スピン流増幅部は、磁壁が挿入された第2の強磁性体と、前記磁壁を移動させる磁壁移動手段とを有し、前記非磁性導電体中を拡散する前記スピン流に前記磁壁移動に伴って当該磁壁の部分に発生する電場を作用させることを特徴とするスピン流増幅装置。

IPC (1)：

H01L 29/82

FI (1)：

H01L29/82 Z

F-Term (7)：

5F092AA20 ,  5F092AC25 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スピン流狭窄層を備えたスピン蓄積素子及び磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-121663   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体スピンデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-138556   Applicant：TDK株式会社
• スピン伝導素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-049729   Applicant：TDK株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-046666   Applicant：富士通株式会社