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J-GLOBAL ID：201303089792661229

ガス拡散電極およびその製法

Inventor： ザエナル アワルディン ,  大坂 武男 ,  錦 善則
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  ペルメレック電極株式会社
Agent (5)： 近藤 利英子 ,  菅野 重慶 ,  岡田 薫 ,  阿部 寛志 ,  鈴木 敏弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013064609
Publication number (International publication number)：2013243119
Application date： Mar. 26, 2013
Publication date： Dec. 05, 2013
Summary：

【課題】白金族金属や金属酸化物より安価で電極活性の高いガス拡散電極を提供する。更に電極の劣化も防止され、従って電気化学システムの安定化と電極寿命の長期化を達成できるガス拡散電極を提供する。【解決手段】導電性基体と、該導電性基体の表面に形成された、Ta、Ti、Nb、Zr、Wから選択される少なくとも1種の金属の酸化物を含有する助触媒からなる助触媒層と、該助触媒層上に形成された、Pt、Ir、Ru、Pd、Rh及びAgから選択される少なくとも1種の金属及び/又は金属の酸化物を含有する主触媒の微粒子を含有する触媒層を形成したガス拡散電極。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電性基体と、該導電性基体の表面に形成された、Ta、Ti、Nb、Zr、Wから選択される少なくとも1種の金属の酸化物を含有する助触媒からなる助触媒層と、該助触媒層上に形成された、Pt、Ir、Ru、Pd、Rh及びAgから選択される少なくとも1種の金属及び/又は金属の酸化物を含有する主触媒の微粒子からなる主触媒層とよりなることを特徴とするガス拡散電極。

IPC (6)：

H01M 4/90 ,  H01M 4/86 ,  H01M 4/92 ,  B01J 23/648 ,  B01J 37/02 ,  H01M 4/88

FI (9)：

H01M4/90 B ,  H01M4/86 M ,  H01M4/90 M ,  H01M4/90 X ,  H01M4/92 ,  B01J23/64 102M ,  B01J37/02 301N ,  B01J37/02 301L ,  H01M4/88 K

F-Term (35)：

4G169AA03 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BC32A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BC60A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CC32 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169FA06 ,  4G169FB21 ,  4G169FC08 ,  5H018AA06 ,  5H018BB00 ,  5H018BB07 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE12 ,  5H018HH05 ,  5H026AA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ガス拡散電極およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-136659   Applicant：ペルメレック電極株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (1)

• ガス拡散電極およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-136659   Applicant：ペルメレック電極株式会社, 国立大学法人東京工業大学