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J-GLOBAL ID：200903086761811565

GaN系半導体結晶の製造方法およびGaN系半導体基材

Inventor： 只友 一行 ,  岡川 広明
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001091129
Publication number (International publication number)：2002289540
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高品質なGaN系結晶を提供することが可能な該結晶の製造方法、および該製造方法によって高品質なGaN系結晶を成長させ得るGaN系半導体基材を提供すること。【解決手段】 GaN系半導体とは異なる材料からなる結晶基板1の表面に凹凸(または段差)1aを加工し、該凹凸の加工された表面に低温GaN系バッファ層を介することなく直接的にGaN系結晶2を成長させ、GaN系結晶層3とする。結晶基板表面の凹凸(または段差)によって、GaN系結晶は横方向の成長を抑制され、バッファ層を介さずとも平坦化する。

Claim (excerpt)：

GaN系半導体とは異なる材料からなる結晶基板の表面に凹凸または段差が加工され、該凹凸または段差が加工された表面に、バッファ層を介することなく直接的に、GaN系半導体が結晶成長していることを特徴とするGaN系半導体基材。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (25)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の組立方法およびIII-V族半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-193430   Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-071467   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-347669   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-387502   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-001749   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-344808   Applicant：日本碍子株式会社