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J-GLOBAL ID:201303099073445056

ゲルマニウム・ホール・プレートを有する集積ホール効果素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  上田 忠 ,  末松 亮太
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2012553910
Publication number (International publication number):2013520794
Application date: Jan. 10, 2011
Publication date: Jun. 06, 2013
Summary:
集積回路及びその集積回路を製造する方法は、ゲルマニウム・ホール・プレートを有するホール効果素子を提供する。このゲルマニウム・ホール・プレートは、シリコンと比較して増大した電子移動度を提供し、それ故、より高感度なホール効果素子を提供する。【選択図】図8
Claim (excerpt):
集積回路を製造する方法であって、ホール効果素子を製造するステップを含んでおり、該ホール効果素子を製造するステップが、 シリコン基板の上にエピ層を形成するステップと、 前記エピ層の上に第1の絶縁層を形成するステップと、 前記第1絶縁層、前記エピ層、又は前記基板のうち少なくとも1つにキャビティを形成するステップと、 前記ホール効果素子のホール・プレートに対応するゲルマニウム構造を形成するために、ゲルマニウムを前記キャビティに堆積させるステップと、 を含む、方法。
IPC (1):
H01L 43/06
FI (1):
H01L43/06 S
F-Term (13):
5F092AA01 ,  5F092AC02 ,  5F092AD06 ,  5F092BA04 ,  5F092BA12 ,  5F092BA19 ,  5F092BA21 ,  5F092BA22 ,  5F092BA23 ,  5F092BA32 ,  5F092BA40 ,  5F092CA03 ,  5F092CA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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