Art

J-GLOBAL ID：201402204190417146   Reference number：14A0295915

High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth

MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

Author (12)： IRISAWA TOSHIFUMI (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  ODA MINORU (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  IKEDA KEIJI (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  MORIYAMA YOSHIHIKO (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  MIEDA EIKO (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  JEVASUWAN W. (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  MAEDA TATSURO (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ) ,  ICHIKAWA OSAMU (住友化学) ,  OSADA TAKENORI (住友化学) ,  HATA MASAHIKO (住友化学) ,  MIYAMOTO YASUYUKI (東京工大) ,  TEZUKA TSUTOMU (産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 113  Issue： 420(SDM2013 135-146)  Page： 9-12  Publication year： Jan. 22, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *indium gallium arsenide ,  Indium ,  Gallium ,  arsenic ,  silicon ,  crystal orientation ,  *MOCVD ,  crystal growth ,  *carrier mobility ,  electron ,  surface level ,  insulating film ,  wafer ,  noise characteristic ,  hysteresis ,  conduction band ,  carrier capture ,  ion current ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  *nMOSFET

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： MOVPE ,  再成長 ,  高移動度 ,  三角形状 ,  InGaAs