Art

J-GLOBAL ID：201402208773117464   Reference number：14A1147497

材料の高強度化・高機能化を実現する凝固プロセス技術と解析技術の最前線 Czシリコン単結晶の凝固プロセス中に水素を添加することで達成できるプロセスゾーンの拡大

Author (5)： SUGIMURA WATARU (SUMCO) ,  SUGIMURA WATARU (九大 大学院工学研究院) ,  ONO TOSHIAKI (SUMCO) ,  HORAI MASATAKA (SUMCO) ,  HIGASHIDA KENJI (九大 大学院工学研究院)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 454-457  Publication year： Oct. 01, 2014 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *freezing and solidification ,  *silicon ,  Hydrogen ,  doping ,  defect ,  dislocation(crystal) ,  semiconductor material ,  vacancy ,  crystal growth ,  growth rate ,  void (crystal) ,  Czochralski method ,  hydrogenation ,  hydrogen storage ,  cluster ,  solid-liquid interface ,  temperature gradient ,  single crystal ,  interstitial atom ,  lattice defect

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (7)：

• V. V. Voronkov: J. Crystal Growth, 59 (1982), 625-643.
• 末澤正志;1999年応用物理学会結晶工学分科会,第110回研究テキスト,11-18.
• M. Suezawa: J. Appl. Phys., 83(1998), 1958-1961.
• T. H. Wang: J. Crystl. Growth, 109 (1991), 155-161.
• Y. Sugita: Japan. J. Appl. Phys., 4 (1965), 962-972.

Terms in the title (9)： 高強度 ,  高機能化 ,  凝固 ,  プロセス ,  解析 ,  シリコン単結晶 ,  水素 ,  ゾーン ,  拡大