Art

J-GLOBAL ID：201402209442112221   Reference number：14A1019370

Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate

Si基板に接合したGaInAsP/InPから成る横方向電流注入型薄膜レーザーの室温における連続波動作

Author (8)： INOUE Daisuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  LEE Jieun (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  DOI Kyohei (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRATANI Takuo (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ATSUJI Yuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  AMEMIYA Tomohiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 7  Issue： 7  Page： 072701.1-072701.4  Publication year： Jul. 2014 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *injection (pour) ,  *semiconductor laser ,  substrate (plate) ,  semiconductor ,  silicon ,  *bonding and joining ,  compound semiconductor ,  phosphide ,  arsenide ,  indium compound ,  gallium compound ,  *cw laser ,  *quantum efficiency ,  loss ,  facet ,  threshold
Semi thesaurus term： *current injection ,  *Fabry-perot laser diode ,  りん化ひ化インジウムガリウム ,  外部微分量子効率 ,  導波路損失 ,  internal quantum efficiency

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Substance index (1)： Benzocyclobutene

Reference (23)：

• M. J. Kobrinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).
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• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 97, 1166 (2009).

Terms in the title (7)： Si基板 ,  GaInAsP ,  InP ,  横方向 ,  電流注入 ,  室温 ,  連続波