Art

J-GLOBAL ID：201402212658473807   Reference number：14A0690693

NEAダイヤモンド表面を利用したダイオード電子源による超高耐圧真空スイッチ

Author (10)： TAKEUCHI DAISUKE ,  MAKINO TOSHIHARU ,  KATO HIROMITSU ,  OGURA MASAHIKO ,  OHASHI HIROMICHI ,  OKUSHI HIDEYO ,  YAMASAKI SATOSHI ,  KOIZUMI SATOSHI (JST ALCA) ,  KOIZUMI SATOSHI (JST-CREST) ,  KOIZUMI SATOSHI (物質・材料研究機構)
Material： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
Volume： 2014  Page： ROMBUNNO.1-096  Publication year： Mar. 05, 2014 
JST Material Number： S0653B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electron affinity ,  *vacuum switch ,  hydrogen ,  diamond ,  electron source ,  PIN diode ,  plasma CVD
Semi thesaurus term： *negative electron affinity ,  hydrogen-termination ,  microwave plasma CVD

JST classification (1)： Relays and switches  (NA05060K)

Terms in the title (6)： NEA ,  ダイヤモンド ,  ダイオード ,  電子源 ,  高耐圧 ,  真空スイッチ