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J-GLOBAL ID：201402227400789920   Reference number：14A1041154

Cross-sectional dopant profiling and depletion layer visualization of SiC power double diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy

超高次非線形誘電顕微鏡観察を用いたSiCパワー二重拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの横断面ドーパントプロフィルと空乏層の可視化

Author (3)： CHINONE N. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  NAKAMURA T. (ROHM Co., Ltd., 21 Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto 615-8585, JPN) ,  CHO Y. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 116  Issue： 8  Page： 084509-084509-7  Publication year： Aug. 28, 2014 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,  *silicon carbide ,  *MOS structure ,  *dopant ,  *depletion layer ,  *visualization ,  *microscopy ,  dielectrics ,  higher dimension ,  nonlinearity ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： transverse plane ,  double diffusion

JST classification (5)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in general  (BK12010J) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (12)： 非線形 ,  顕微鏡観察 ,  SiC ,  パワー ,  二重拡散 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  横断面 ,  ドーパント ,  プロフィル ,  空乏層 ,  可視化