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J-GLOBAL ID：201402231392672790   Reference number：14A1382575

A Study of BCN production process by thermal chemical vapor deposition

熱化学気相成長法によるBCN合成の検討

Author (3)： YAMAZAKI YUKI (信州大 大学院理工学系研究科) ,  HAYASHI TAKUYA (信州大 工) ,  MURAMATSU HIROYUKI (信州大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 276(CPM2014 100-121)  Page： 13-14  Publication year： Oct. 17, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermal chemical vapor deposition ,  carbon material ,  monoatomic layer ,  boron nitride ,  *boron compound ,  *carbide ,  *nitride ,  band gap ,  FET ,  Raman spectrum ,  carrier mobility ,  graphene ,  *boron carbonitride

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (1)：

• Li Song , Zheng Liu , Arava Leela Mohana Reddy , Narayanan Tharangattu Narayanan ,Jaime Taha-Tijerina , Juan Peng , Guanhui Gao , Jun Lou , Robert Vajtai ,and Pulickel M. Ajayan," Binary and Ternary Atomic Layers Built from Carbon, Boron, and Nitrogen" Adv. Mater. 24, pp. 4878-4895(2012)

Terms in the title (1)： 化学気相成長法