Art

J-GLOBAL ID：201402232335338502   Reference number：14A1495903

Low temperature growth of epitaxial Co₂MnSi films by ion-beam assisted sputtering

イオンビームアシストスパッタ法によるCo₂MnSi薄膜の低温エピタキシャル成長

Author (2)： UEDA KENJI (名古屋大) ,  ASANO HIDEFUMI (名古屋大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 234(MR2014 14-22)  Page： 23-26  Publication year： Sep. 25, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *TMR device ,  tunnel junction ,  magnetic thin film ,  injection(pour) ,  *Heusler alloy ,  epitaxy ,  thin film growth ,  temperature ,  ion beam sputtering ,  lattice match
Semi thesaurus term： spin injection ,  magnetic tunnel junction ,  growing temperature

JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Reference (17)：

• R. A. de Groot, F. M. Mueller, P. G. van Engen, and K. H. J. Buschow: Phys. Rev. Lett. 50, 2024 (1983).
• T. Ishikawa, H. Liu, T. Taira, K.-I. Matsuda, T. Uemura, and M. Yamamoto, Appl. Phys. Lett., 95 (2009) 232512.
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• I. Galanakis, P. H. Dederichs and N. Papanikolaou, Phys. Rev. B. 66 (2002) 174429.
• P. J. Webster, J. Phys. Chem. Solids, 32 (1971) 1221.

Terms in the title (2)： 低温 ,  エピタキシャル成長