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J-GLOBAL ID：201402236352346743   Reference number：14A1236160

Influence of Temperature Program during Deposition on Properties of RF-Sputtered β-FeSi₂ Films

RFスパッターしたβ-FeSi₂膜の特性に及ぼす堆積中の温度プログラムの影響

Author (3)： UEMATSU T. (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIKAWA Y. (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAMURA K. (Kansai Univ., Osaka, JPN)
Material： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Trans Mater Res Soc Jpn)
Volume： 39  Issue： 3  Page： 353-356  Publication year： Sep. 2014 
JST Material Number： L4468A  ISSN： 1382-3469  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicide ,  *iron compound ,  *RF sputtering ,  sputtered deposition ,  *evaporated film ,  substrate (plate) ,  silicon ,  ceramic membrane ,  thin film ,  *Temperature ,  *plan ,  *annealing (heat treatment) ,  quality ,  crystal ,  film thickness ,  surface crack ,  *iron silicide ,  ceramic thin film ,  crystal quality
Semi thesaurus term： anneal ,  program

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Properties of ceramics and ceramic whiteware  (YC03030G)

Reference (7)：

• N. Otogawa, S. Wang, S. Kihara, X. Liu, Y. Fukuzawa, Y. Suzuki, M. Osamura, T. Ootsuka, T. Mise, K. Miyake, Y. Nakayama, H. Tanoue and Y. Makita, Thin Solid Films 461, 223 (2004).
• T. Yoshitake, Y. Inokuchi and A. Yuri, Appl. Phys. Lett. 88, 182104 (2006).
• M. C. Bost and J. E. Mahan, J. Appl. Phys. 64, 2034 (1988).
• T. Kawaguchi and K. Nakamura, Tech. Digest of 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 92 (2009).
• C. Fu, M. P. C. M. Krijn and S. Doniach, Phys. Rev. B49, 2219 (1994).

Terms in the title (2)： RFスパッター ,  堆積