Art

J-GLOBAL ID：201402240688083551   Reference number：14A0426435

ELECTRICAL PROPERTIES OF Al DOPED CeO₂ THIN FILMS DEPOSITED BY O₂ INTRODUCED Ar SPUTTERING

酸素導入Arスパッタリングにより堆積したAlドープCeO₂薄膜の電気的性質

Author (8)： NOTANI Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OKAZAKI T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HARA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OSAWA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HIBINO K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI S. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
Material： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (法政大学イオンビーム工学研究所報告 別冊)
Issue： 32  Page： 52-57  Publication year： Mar. 2014 
JST Material Number： L0263A  ISSN： 0914-2908  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *leakage current ,  *permittivity ,  phase transition ,  aluminum ,  doping ,  *magnetron sputtering ,  oxide ,  thin film ,  cerium oxide ,  current-voltage characteristic ,  capacitance-voltage characteristic ,  annealing(heat treatment) ,  electron microscopy
Semi thesaurus term： oxide thin film ,  dielectric constant ,  *cerium dioxide ,  Microscopy, Electron, Transmission

JST classification (2)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (8)： 酸素 ,  Ar ,  スパッタリング ,  堆積 ,  Al ,  ドープ ,  薄膜 ,  電気的性質