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J-GLOBAL ID：201402253331837196   Reference number：14A0053508

高純度化が拓く材料科学 LSIの高性能化を実現する高純度Cu配線技術

Author (4)： ONUKI JIN (茨城大 工) ,  TAMAHASHI KUNIHIRO (茨城大 工) ,  SASAJIMA YASUSHI (茨城大 工) ,  INAMI TAKASHI (茨城大 工)
Material： 金属  (Materials Science & Technology)
Volume： 84  Issue： 1  Page： 31-39  Publication year： Jan. 01, 2014 
JST Material Number： F0157A  ISSN： 0368-6337  CODEN： KNZKA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *LSI ,  wiring ,  *high purity metal ,  *Copper ,  speedup ,  *electrical property ,  electrical resistivity ,  *metal structure (microstructure) ,  crystal grain size ,  grain coarsening ,  grain boundary ,  metallic thin film ,  particle size distribution ,  electron diffraction ,  X-ray diffractometry ,  Copper Sulfate ,  crystallinity ,  crystal orientation ,  preferred orientation ,  iridium base alloy ,  molybdenum containing alloy ,  *organization ,  modification
Semi thesaurus term： copper interconnect ,  microstructure ,  barrier metal ,  wire delay ,  EBSD

JST classification (3)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Transformation structures,work structures  (WB01030N) ,  Electrical properties  (WB02010Y)

Terms in the title (6)： 高純度化 ,  材料科学 ,  LSI ,  高性能化 ,  高純度 ,  Cu配線