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J-GLOBAL ID：201402257139857251   Reference number：14A0180605

不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te系相変化材料の研究

Author (4)： SUTO YUJI (東北大 大学院工学研究科) ,  SAITO YUTA (東北大 大学院工学研究科) ,  SAITO YUTA (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  KOIKE JUN'ICHI (東北大 未来科学技術共同研究セ)
Material： まてりあ  (Materia Japan)
Volume： 53  Issue： 2  Page： 45-51  Publication year： Feb. 01, 2014 
JST Material Number： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： material ,  *phase change random access memory ,  nonvolatile memory ,  amorphous state ,  crystallization ,  *germanium compound ,  *telluride(chalcogenide) ,  germanium base alloy ,  copper base alloy ,  tellurium base alloy ,  germanium additive alloy ,  copper additive alloy ,  tellurium additive alloy ,  phase transition ,  copper compound ,  reflectivity ,  amorphization ,  target ,  sputtering ,  semiconductor thin film ,  pulse ,  three-component system
Semi thesaurus term： germanium telluride ,  phase change material ,  volume change ,  electric pulse

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (37)：

• (1) N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira and M. Takao: J. Appl. Phys., 69(1991), 2849-2856.
• (2) S. Lai and T. Lowrey: IEDM Tech. Dig., 36(2001), 803-806.
• (3) S. Lai: IEDM Tech. Dig., 10(2003), 255-258.
• (4) Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 37(2003), 893-896.
• (5) A. L. Lacaita: Solid. State. Electron., 50(2006), 24-31.

Terms in the title (6)： 不揮発性メモリ ,  Ge ,  Cu ,  Te ,  相変化材料 ,  研究