Art

J-GLOBAL ID：201402285381007568   Reference number：14A1099665

大気開放下によるSnO薄膜の作製とその物性評価

Author (3)： UCHIDA TAKAYUKI (京大 大学院) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工科大 システム工学) ,  FUJITA SHIZUO (京大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 75th  Page： ROMBUNNO.19A-A12-8  Publication year： Sep. 01, 2014 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *tin oxide ,  *atmosphere(location) ,  chemical vapor deposition ,  X-ray diffractometry ,  *X-ray photoelectron spectrum ,  P-type semiconductor ,  valence band ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film
Semi thesaurus term： *mist CVD ,  oxide semiconductor

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electron spectroscopy  (BM09060K)

Terms in the title (4)： 大気 ,  薄膜 ,  作製 ,  物性評価