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J-GLOBAL ID：201403002587813511

結晶性層状ケイ酸塩の高温酸処理による高シリカナノ多孔体の製造方法及びその高シリカナノ多孔体

Inventor： 池田 拓史 ,  茅森 俊介 ,  水上 富士夫 ,  近江 靖則
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 須藤 政彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006326396
Publication number (International publication number)：2008137857
Patent number：5419057
Application date： Dec. 03, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 隣接する層状骨格構造がSiO4四面体部位で架橋されたことで、層間にミクロ孔が形成された構造を有し、親水性を有し、架橋部位が、化学式O2Si(OH)2で表される局所構造であり、かつその耐熱性が少なくとも600°C以上であり、表1に示される回折ピーク位置と相対強度の関係を有する、ことを特徴とする高シリカナノ多孔体APZ-1。

IPC (1)：

C01B 37/02 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 37/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 新規ゼオライトの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-435651   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 新規ゼオライト、その水酸基及び金属含有体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-388502   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 新規ゼオライト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-388582   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 結晶性層状化合物とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-386024   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所