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J-GLOBAL ID：201403003238679146

半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法

Inventor：
金子 健太郎

About 金子 健太郎

, 
人羅 俊実

About 人羅 俊実

, 
平尾 孝

About 平尾 孝


Applicant, Patent owner：
ROCA株式会社

About ROCA株式会社


Agent (3)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013131172
Publication number (International publication number)：2014072517
Application date： Jun. 21, 2013
Publication date： Apr. 21, 2014
Summary：
【課題】良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02
FI (7)：
H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E ,  H01L21/02 B
F-Term (28)：
5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045DP04 ,  5F045DP22 ,  5F045EE02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF38 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ03 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN14 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152NN01 ,  5F152NN13 ,  5F152NP01 ,  5F152NQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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