Art

J-GLOBAL ID：201202257173876414   Reference number：12A0705977

Successful Growth of Conductive Highly Crystalline Sn-Doped α-Ga₂O₃ Thin Films by Fine-Channel Mist Chemical Vapor Deposition

微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga₂O₃の好結果成長

Author (3)： KAWAHARAMURA Toshiyuki (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  DANG Giang T. (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  FURUTA Mamoru (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 51  Issue： 4,Issue 1  Page： 040207.1-040207.3  Publication year： Apr. 25, 2012 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  *gallium oxide ,  trigonal system ,  substrate (plate) ,  sapphire ,  crystallinity ,  X-Ray Diffraction ,  electrical resistivity ,  *compound semiconductor ,  doping ,  growth rate ,  carrier mobility ,  carrier density ,  rocking curve ,  FWHM ,  *thin film growth ,  crystal growth rate ,  *mist CVD ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： *mist chemical vapor deposition method

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (12)：

• 1) D. Shmohara and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 7311.
• 2) M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 4166.
• 3) M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 411 (2002) 134.
• 4) T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7217.
• 5) Z. Ji, J. Du, J. Fan, and W. Wang: Opt. Mater. 28 (2006) 415.

Terms in the title (8)： 微細 ,  チャネル ,  ミストCVD ,  結晶度 ,  Sn ,  ドープ ,  Ga2O3 ,  成長