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J-GLOBAL ID：200902234136420065   Reference number：08A0996337

Heteroepitaxy of Corundum-Structured α-Ga₂O₃ Thin Films on α-Al₂O₃ Substrates by Ultrasonic Mist Chemical Vapor Deposition

α-Al₂O₃基板上での超音波ミスト化学蒸着によるコランダム構造のα-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタクシー

Author (2)： SHINOHARA Daisuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 9 Issue 1  Page： 7311-7313  Publication year： Sep. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photonic band gap ,  *semiconductor thin film ,  *gallium oxide ,  chemical vapor deposition ,  *heteroepitaxy ,  substrate(plate) ,  sapphire ,  quality ,  X-ray diffraction ,  rocking curve ,  half-value width ,  surface roughness ,  ultrasonic irradiation ,  trigonal system ,  monoclinic system
Semi thesaurus term： crystal quality ,  high quality

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (24)：

• Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, and S. Nakagomi: Appl. Phys. Lett.90(2007)031912.
• T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007)7217.
• T. Oshima, T. Okuno, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, and S. Fujita: Appl. Phys. Express 1(2008)011202.
• C.-C. Chen and C.-C. Chen: J. Mater. Res.19(2004)1105.
• M. Ogita, K. Higo, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka: Appl. Surf. Sci.175(2001)721.

Terms in the title (8)： α-AL2O3 ,  超音波 ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  コランダム ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  ヘテロエピタクシー