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J-GLOBAL ID：201403003807434114

光素子及びその製造方法

Inventor：
若葉 昌布

About 若葉 昌布


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013082261
Publication number (International publication number)：2014207258
Application date： Apr. 10, 2013
Publication date： Oct. 30, 2014
Summary：
【課題】2つのIII-V族化合物半導体層の界面に光を吸収する遷移層が形成されるのを防止することができる光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1のIII族元素および第1のV族元素を含む第1半導体層120と、第1半導体層の上方に形成され、第2のIII族元素および第2のV族元素を含む第2半導体層130と、第1半導体層と第2半導体層との間に形成され、第2のIII族元素および第1のV族元素を含む中間層170とを備え、同一の温度条件で、第2のIII族元素および第1のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数が、第1のIII族元素および第2のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数より大きい光素子。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
少なくとも第1のIII族元素および第1のV族元素を含む第1化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層の上方に形成され、少なくとも第2のIII族元素および第2のV族元素を含む第2化合物半導体層と、 前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層との間に形成され、少なくとも前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素の化合物を含む中間層と を備え、 同一の温度条件で、前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数が、前記第1のIII族元素および前記第2のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数より大きい 光素子。
IPC (3)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (3)：
H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205
F-Term (13)：
5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045EE18 ,  5F173AH14 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR12 ,  5F173AR75 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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